姓名: 陈军
学校: 中山大学
学院: 物理科学与工程技术学院
职称:  

<div class> <p> <br/>   姓名:陈军   性别:男  职称:教授  <br/>   学院:理工学院   最后学历:博士<br/>   主要研究方向:新型纳米冷阴极,真空纳微电子器件,场发射平板显示器<br/> <br/> 教学科研情况<br/> </strong><br/> 教学:担任真空微电子与纳电子器件,微电子器件、光电集成工艺与技术、集成电路制造技术和凝聚态物理实验方法等本科和研究生课程的教学工作。<br/> 科研:主要从事新型准一维纳米材料冷阴极、场发射平板显示器的研制等<br/> <br/> 承担课题<br/> </strong><br/> 现主持国家杰出青年基金和863项目等科研项目3项。作为主持人完成973子课题,国家自然科学基金和广东省科技计划等项目。<br/> <br/> 发表论文<br/> </strong><br/> 在SCI期刊上发表论文105篇。据SCI统计,截止至2008年5月,论文被他人引用710次。 主要论文:</p> <p> 1.Geng Zhang, Jun Chen*, S.Z. Deng, J.C. She, N.S. Xu, Damages of screen-printed carbon nanotube cold cathode during the field emission process, Ultramicroscopy, 109, 385-389(2009).</p> <p> <br/> 2.Y. Xiao, Jun Chen*, S. Z. Deng, N. S. Xu, and S. H. Yang*, Preparation of Cu2S Dendritic, Double-Comb-Like Nanostructures by Gas-Solid Reaction Method, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 8, 237 (2008).</p> <p> <br/> 3.Jun Chen, Y. Y. Dai, J. Luo, Z. L. Li, S. Z. Deng, J. C. She, and N. S. Xu, Field emission display device structure based on double-gate driving principle for achieving high brightness using a variety of field emission nanoemitters, Applied Physics Letters 90, 253105(2007)</p> <p> <br/> 4.J. X. Huang, Jun Chen*, S. Z. Deng, and N. S. Xu, Bayard-Alpert ionization gauge using carbon-nanotube cold cathode, Journal of Vacuum Science &amp; Technology B, 25(2), 651 (2007)</p> <p> <br/> 5.C. Y. Duan, Jun Chen*, S. Z. Deng, N. S. Xu, J. H. Zhang, H. B. Liang, and Q. Su, Cathodoluminescent properties of SrGa2S4:Eu2+ phosphor for field-emission display applications, Journal of Vacuum Science &amp; Technology B, 25(2), 618 (2007)</p> <p> <br/> 6.Jun Yu, Jun Chen*, S. Z. Deng, J. C. She, and N. S. Xu, Post-treatment of screen-printed carbon nanotube emitter by selective plasma etching, Journal of Vacuum Science &amp; Technology B, 25(2), 552 (2007)</p> <p> <br/> 7.X. H. Liang, S. Z. Deng, N. S. Xu, Jun Chen, N. Y. Huang, and J. C. She, On achieving better uniform carbon nanotube field emission by electrical treatment and the underlying mechanism, Applied Physics Letters 88, 111501(2006)</p> <p> <br/> 8.J C She, S Z Deng, N S Xu, R H Yao, Jun Chen, Fabrication of vertically aligned Si nanowires and their application in a gated field emission device, Applied Physics Letters 88 (1): Art. No. 013112, 2006<br/>  </p> </div>


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