姓名: 张国义
学校: 北京大学
学院: 物理学院
职称:  

理学博士,北京大学物理学院教授,博士生导师,北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任,中国物理学会发光分会理事;中国电子学会办半导体与集成技术分会委员会委员;《半导体学报》,《发光学报》,《液晶和显示》编委.长期从事半导体物理与器件物理,半导体光电子学, MOCVD 生长技术的研究。自 1993 年至今,一直从事 III-V 氮化物宽禁带半导体材料的制备、器件的研制和物理性能的研究。申请国家发明专利 20 多项,发表论文 100 多篇。作为会议主席,在 1998 年和 2001 年两次在中国主持召开了国际 III-V 氮化物半导体专题研讨会,多次作为(氮化物半导体相关的)重大国际会议委员会委员,参加国际学术交流。作为第一发明人,曾获得国家发明四等奖,国家教委科技进步二等奖等奖励。先后在美国,日本,澳大利亚,比利时开展合作研究。“九五”期间,作为国家“ 863 ”计划信息光电子主题专家组成员,“十五”期间,作为国家半导体照明工程专家组成员,中国 LED 行业协会顾问专家, 国家半导体照明工程研发及产业联盟理事,努力为我国的 LED 照明光源的革命做出贡献。


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