西华大学 金应荣

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<div class> <p>　　<br/> 　　姓名：金应荣　性别：男<br/> 　　职称：教授　学院：材料科学与工程学院<br/> 　　<br/> 　　男，工学博士。1985年毕业于重庆大学冶金及材料工程系，1988年到四川航天公司工作，1999年到四川大学大学攻读博士学位，2002年到西华大学工作，现为西华大学材料科学与工程学院 副院长、研究员、硕士生导师。<br/> 　　<br/> 　　【联系方式】<br/> 　　School of Materials Science and Engineering, Xihua University, Chengdu 610039, China<br/> 　　西华大学材料科学与工程学院，四川 成都，610039<br/> 　　联系电话：028-87720514<br/> 　　传真：(8628)-87720514<br/> 　　E-mail：Jinry@mail.xhu.edu.cn<br/> 　　<br/> 　　教育背景<br/> </strong>　　1981.09-1985.07 重庆大学 冶金及材料工程系 工学学士<br/> 　　1985.09-1988.07 哈尔滨工业大学 材料系 工学硕士<br/> 　　1999.09-2002.06 四川大学 材料科学与工程学院 工学博士<br/> <br/> 　　工作履历<br/> </strong>　　1988.07-1999.08 四川航天公司 先后担任助理工程师，工程师和高级工程师<br/> 　　2002.06-今 西华大学 先后担任研究生部副部长，材料科学与工程学院副院长<br/> 　　<br/> 　　研究领域：</strong>光电子材料与器件，半导体材料与器件<br/> 　　<br/> 　　【科研项目】<br/> 　　1) 铝酸盐长余辉发光材料，西华大学人才基金，2002.07－2007.05，负责<br/> 　　2) 优质碘化铅单晶体生长及碘化铅探测器研制，四川省教育厅重点项目，2007.01-2008.12，负责<br/> 　　3) CoO2/Ca2CoO3超晶格热电材料的界面稳定性研究，教育部春晖计划项目，2006.12-2009.12，负责<br/> 　　4) 具有大面积pn结的U型热电发电器研究，教育部春晖计划项目，2010.12-2012.12，负责<br/> 　　<br/> 　　研究概况：</strong>主要从事光电子材料与器件和半导体材料与器件方面的研究工作，在光电子材料的制备方面取得一定进展。发表文章30多篇。获得授权中国发明专利2项。学术创新点如下：<br/> 　　1〕观察到了碘化铅熔体与液态铅分层的现象，修订了Pb-I相图，提出了生长碘化铅单晶体的新方法；<br/> 　　2）在Ca3Co4O9热电材料的常温常压致密化烧结方面取得了一定进展。<br/> 　　<br/> 　　主讲课程：</strong>主讲《材料制备技术》、《功能材料与智能材料》等。<br/> 　　<br/> 　　学术成果<br/> </strong>　　【论文与专利】<br/> 　　1 Yi He, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Yingrong Jin, Zhiyu He, Baojun Chen, Improved growth of PbI2 single crystals, Journal of Crystal Growth, Volume 300, Issue 2, March 2007, Pages 448-451<br/> 　　2 Zhu, X. H., Wei, Z. R, Jin, Y. R.; Xiang A. P., Growth and characterization of a PbI2 single crystal used for gamma ray detectors, Crystal Research and Technology, Volume 42, Issue 5, March 2007, Pages 456-459<br/> 　　3 金应荣，朱世富，赵北君，陈松林，何福庆，CdSe核辐射探测器中的MIS接触电极，半导体学报，25卷，2004年，1301-1305<br/> 　　4 李丽霞，金应荣，贺毅，赵欣，U型坩埚内碘化铅熔体中的气泡分析，西华大学学报(自然科学版)，27卷，2008年5月，56-57,68<br/> 　　5 金应荣，李丽霞，贺毅，朱兴华，U型坩埚上升法生长碘化铅单晶体，西华大学学报(自然科学版)，26卷，2007年1月，31-32<br/> 　　6 王鹏飞，金应荣，鲁云，刘磊，陈建文，王琴，温差对CaMnO3和Ca3Co4O9热电器件输出功率的影响，西华大学学报(自然科学版)，30卷，2011年3月，78-81<br/> 　　7 赵欣，金应荣，朱兴华，垂直布里奇曼法生长碘化铅单晶体，材料科学与工艺，14卷，2006年8月，428-431<br/> 　　8 金应荣，朱兴华，贺毅，朱世富，赵北君，栾道成，用碘化铅熔体生长单晶体的方法，发明专利，Zl200610020393.8<br/> 　　9 金应荣，周华，栾道成，刘锦云，贺毅，牛天梅，曾启，赵远东，旋转式高精度气密性检测装置，发明专利，ZL200810147942.7<br/> 　　 <br/> 　　*如果发现导师信息存在错误或者偏差，欢迎随时与我们联系，以便进行更新完善。联系方式</a></p> </div>

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