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浙江大学 丁扣宝

985211 双一流

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丁扣宝

姓名： 丁扣宝
学校： 浙江大学
学院： 信息科学与工程学院
职称：  

丁扣宝老师的简介

<div class> <p> <br/> 　　姓名：丁扣宝<br/> 　　性别：男<br/> 　　所在学院：信息与电子工程学系<br/> 　　职称：副教授<br/> <br/> 　　专业一：</strong>微电子学与固体电子学 　　　专业一码：</strong>080903<br/> 　　专业二：</strong>集成电路工程（专业学位） 　专业二码：</strong>085209<br/> 　　专业三：</strong>电子与通信工程（专业学位） 专业三码：</strong>085208<br/> <br/> 　　学历：</strong>研究生毕业<br/> 　　导师类别：</strong>硕士生导师<br/> 　　在岗性质：</strong>全职<br/> <br/> 　　研究方向：</strong>集成电路中器件模型与参数提取；集成电路布局布线；半导体器件物理与微纳米器件物理；太阳能电池<br/> <br/> 　　发表论文：<br/> </strong></p> <table> <tbody> <tr> <td> 编号<br/>  </td> <td> 论文题目<br/>  </td> <td> 所载刊物<br/>  </td> <td> 刊物等级<br/>  </td> <td> 发表年月<br/>  </td> <td> 作者<br/>  </td> </tr> <tr> <td> <p align> 1<br/>  </p> </td> <td> 抛物线型势阱二维电子气能级的解析解<br/>  </td> <td> <p align> 半导体情报<br/>  </p> </td> <td> <p align> 　<br/>  </p> </td> <td> <p align> 38（2）：50-51, 2001<br/>  </p> </td> <td> <p align> 丁扣宝<br/>  </p> </td> </tr> <tr> <td> <p align> 2<br/>  </p> </td> <td> Simple determination of the profile of bulk generation lifetime in semiconductor<br/>  </td> <td> <p align> Solid-State Electronics<br/>  </p> </td> <td> <p align> SCI、EI<br/>  </p> </td> <td> <p align> 46 (4), 601-603, 2002<br/>  </p> </td> <td> <p align> Koubao Ding<br/>  </p> </td> </tr> <tr> <td> <p align> 3<br/>  </p> </td> <td> 硅MOS结构C-t瞬态分析中产生区宽度的新模型<br/>  </td> <td> <p align> 浙江大学学报（工学版）<br/>  </p> </td> <td> <p align> EI<br/>  </p> </td> <td> <p align> 36（3）：303-305, 2002<br/>  </p> </td> <td> <p align> 丁扣宝<br/>  </p> </td> </tr> <tr> <td> <p align> 4<br/>  </p> </td> <td> 利用I-V正向特性提取PN二极管主要参数的研究<br/>  </td> <td> <p align> 电子器件<br/>  </p> </td> <td> <p align> EI Pageone<br/>  </p> </td> <td> <p align> 25（1）：27-28，(2002)<br/>  </p> </td> <td> <p align> 丁扣宝<br/> 潘　骏<br/>  </p> </td> </tr> <tr> <td> <p align> 5<br/>  </p> </td> <td> 适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型的创建<br/>  </td> <td> <p align> 半导体技术<br/>  </p> </td> <td> <p align> 　<br/>  </p> </td> <td> <p align> 29（9）：57-59，2004<br/>  </p> </td> <td> <p align> 霍明旭<br/> 丁扣宝<br/>  </p> </td> </tr> <tr> <td> <p align> 6<br/>  </p> </td> <td> 半导体少子产生区宽度线性模型的研究<br/>  </td> <td> <p align> 微电子学<br/>  </p> </td> <td> <p align> 　<br/>  </p> </td> <td> <p align> 34（3）：289-290，2004<br/>  </p> </td> <td> <p align> 丁扣宝<br/> 吴　滔<br/>  </p> </td> </tr> <tr> <td> <p align> 7<br/>  </p> </td> <td> 适用于少子产生寿命CAM的线性电压扫描法<br/>  </td> <td> <p align> 固体电子学研究与进展<br/>  </p> </td> <td> <p align> EI<br/>  </p> </td> <td> <p align> 24(3):407<br/>  </p> </td> <td> <p align> 丁扣宝<br/> 潘　骏<br/>  </p> </td> </tr> <tr> <td> <p align> 8<br/>  </p> </td> <td> 基于电流型边界条件的硅光电池模拟的新方法<br/>  </td> <td> <p align> 传感技术学报<br/>  </p> </td> <td> <p align> EI<br/>  </p> </td> <td> <p align> 17（3）：505-507，2004<br/>  </p> </td> <td> <p align> 丁扣宝<br/> 霍明旭<br/>  </p> </td> </tr> </tbody> </table> <br/> <p> 　　“如果发现导师信息存在错误或者偏差，欢迎随时与我们联系，以便进行更新完善。联系方式</a>”</p> </div>

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