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河南师范大学 危书义

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危书义

姓名： 危书义
学校： 河南师范大学
学院： 物理与信息工程学院
职称：  

危书义老师的简介

<div class> <p> <br/> 　　危书义</strong> 教授 硕士生导师<br/> 　　危书义，男，汉族，1965年3月出生，河南省新密市人，九三学社成员，教授，凝聚态学科点硕士生导师。1986年7月北京大学物理系毕业，获理学学士学位。1991年7月河南师范大学物理系毕业，获硕士学位。主讲过《光学》、《电磁场》、《电动力学》等本科生课程和《固体理论》、《表面与界面物理》等研究生课程。指导硕士研究生近20余名。长期从事半导体物理研究，对诸如半导体表面界面、金属/半导体复合体系、宽禁带直接带隙氮化物半导体异质结构等都做过较深入的研究并取得一些创新性研究成果。这些成果对集成电路技术的发展、光电子器件的改进等有一定的指导意义。在国内外学术刊物上发表论文100余篇，其中70篇发表在国际著名刊物“Surface Science”、“J．Appl．Phys．”、 “Phys．Lett．A”上。研究成果引起国内外同行专家的关注。近年来承担过2项国家自然科学基金项目、6项省自然科学基金及科技攻关项目。主讲的《光学》课程获河南省精品课程。<br/> <br/> 　　研究领域：</strong>半导体物理，低维量子结构<br/> <br/> 　　研究组：</strong><br/> <br/> 　　发表的主要论文：</strong><br/> 　　1 Adsorption of Co on Si（100）surface．<br/> 　　Surf．Sci．, 504（2002）37<br/> 　　2 Exciton states in wurtzite InGaN strained coupled quantum dots：Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization．<br/> 　　J．Appl．Phys．97（2005）083705<br/> 　　3．Exciton in wurtzite GaN/AlxGa1-xN coupled quantum dots．<br/> 　　Journal of Luminescence, 118（2）（2006）139-146<br/> 　　4．Influence of the built-in electric field on luminescent properties in self-formed single InxGa1−xN/GaN quantum dots<br/> 　　Physica E．33 （2006）343-348<br/> 　　5．First-principles studies on the Au surfactant on polar ZnO surfaces<br/> 　　Physics Letters A．363 （2007）327–331<br/> 　　6．Exciton states and interband optical transitions in ZnO/MgZnO quantum dots<br/> 　　Journal of Luminescence, （2008．128：1285-1290）<br/> 　　7．Hydrogenic impurity states in zinc-blende GaN/AlN coupled quantum dots<br/> 　　Physics Letters A 372 （2008）6420–6423<br/> 　　8．Electric field effect on the donor impurity states in zinc-blende symmetric InGaN/GaN coupled quantum dots<br/> 　　Physics Letters A 374 （2009）97–100<br/> 　　9．Barrier width dependence of the donor binding energy of hydrogenic impurity in wurtzite InGaN/GaN quantum dot<br/> 　　J．Appl．Phys．106（2009）094301<br/> 　　10．Electron and impurity states in GaN/AlGaN coupled quantum dots：Effects of electric field and hydrostatic pressure<br/> 　　J．Appl．Phys．108（2010）054307<br/> 　　11．Shallow-donor impurity in zinc-blende InGaN/GaN asymmetric coupled quantum dots：effect of electric field<br/> 　　J．Appl．Phys．107（2010）054305<br/> 　　12．Effects of applied electric field and hydrostatic pressure on donor impurity states in cylindrical GaN/AlN quantum dot<br/> 　　J．Appl．Phys．107（2010）014305<br/> <br/> 　　联系电话 </strong><br/> 　　传真<br/> 　　邮件 wsy@henannu.edu.cn<br/> 　　地址 河南师范大学物理与信息工程学院<br/> 　　邮编 453007<br/> <br/> 　　*如果发现导师信息存在错误或者偏差，欢迎随时与我们联系，以便进行更新完善。联系方式&gt;&gt;</a></p> </div>

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